4515DO-DS3BI002DP压力传感器有很多参数指标，其中有一项是过载维护，过载就是负荷过大，超越了设备自身的额定负载，产生的现象是电流过大，用电设备发热，线路长期过载会降低线路绝缘程度，以至烧毁设备或线路；过载维护就是即便负荷超越了额定负载也不会呈现烧坏线路的状况，但是也有一个度，普通是150%的范围内，而且不能持续过载工作。

压力传感器4515DO-DS3BI002DP有很多方式，每种构造方式的过载维护设计办法也是各不相同的，众多办法都有各自的优点和缺陷，采用MEMS技术的小量程、4515DO-DS3BI002DP压力传感器通常有平膜、岛膜、梁膜等构造，在设计过载维护时，普通采用凸台等办法完成，构成办法有背部刻蚀技术、硅直接键合技术、玻璃刻蚀技术等。但是这些构造普通都有一个很大的局限性就是腔体尺寸较大，进一步进步灵活度遭到限制，而且降低了硅片应用率，增加了制造工艺的复杂度。

目前小量程、高灵活压力传感器的研讨热点集中在牺牲层构造压力传感器，这主要是由于牺牲层构造压力传感器弹性膜片很薄，厚度可做到2μm，以至更薄。在这样薄的构造上，假如采用扩散硅或多晶硅薄膜作为牺牲层构造4515DO-DS3BI002DP压力传感器的应变电阻，其厚度相对较大，对弹性膜片应力散布影响很大，不利于牺牲层构造4515DO-DS3BI002DP压力传感器的性能优化，因而采用多晶硅纳米薄膜制造应变电阻更能发挥牺牲层技术的优点。

过载维护是每种传感器都要思索的，由于在运用过程中可能会呈现丈量值大于量程的状况，只要设计了过载维护的4515DO-DS3BI002DP传感器才干更好的运用，也才干运用得更久。详细每种传感器的过载维护是如何设计的，过载范围是几都是不同的，所以4515DO-DS3BI002DP传感器一定要理解它的过载维护是几，这样才干更好的便当运用，在将来运用过程中也不会呈现由于过载烧坏电路的状况。