经常发现M5151-000000W-200BG压力传感器在使用一段时间后会发生漂移。是什么原因导致压力传感器漂移？如何在设计过程之中消除压力传感器漂移？

M5151-000000W-200BG传感器使用的芯片和基地间的金硅共晶键合，为了消除压力传感器偏移，可以使用金硅共晶焊接。因为金比较软，应力小，所以压力感应管是一根烧结在硅环之上的玻璃管，玻璃管和底座用高温胶粘合。为了测量表压，在玻璃管外粘上一根金属管，使其与大气接触。芯片电阻条形成惠斯通电桥，采用高掺杂方法形成导电书，电桥与分布在其四周的铝电极可靠连接，而不是采用通常的蒸铝和反向蚀刻的方法形成铝条。这样做有助于减少传感器的滞后。铝电极与端子间采用金丝压焊和超声波焊接，使接头处的电阻更稳定。

M5151-000000W-200BG传感器芯片和金属底座采用玻璃粉密封。缺点是压力芯片四周有很大的应力。即使退火之后，应力也不能完全消除。当温度变化时，由于金属、玻璃和扩散硅芯片的热膨胀系数不同，会产生热应力，导致传感器零点漂移。这就是为什么传感器的热零点漂移比芯片大得多的原因。使用银膏和接线柱进行焊接，处理不当容易造成接触电阻不稳定。尤其是温度变化时，接触电阻更容易发生变化。些因素都是造成传感器大的时间漂移和温度漂移的原因。

M5151-0000W-200BG压力传感器可作为压力测量元件使用，也可作为自动控制的敏感元件使用。别是对于前者的应用，对它提出了比较高的精度要求。由于半导体芯片制成的压力传感器的精度受温度的影响，因此应注意传感器的工作温度范围。
静态精度是指在一定温度（室温25°C）之下应达到的精度。它可分为四个等级：0101-011%FS为超高精度；011-1%FS为高精度；1-2%FS为正常精度。2-10%的FS是低精度的。

全温度范围精度是指压力传感器在整个使用温度范围之内应达到的精度。它也可以分为四个:0101-011%支持率011年-1%的FS1%至2%的游离脂肪酸2%至10%脂肪酸静态精度达到011-1%FS，可能整个温度范围的精度只够1-2%FS，甚至只够2-10%FS。

对于使用，往往希望M5151-0000W-200BG传感器的精度尽可能高。当压力传感器达到高精度时，在生产过程之中必须增加许多额外的工艺、校准过程和补偿技术，相应的成本也增加了，当然它的售价也大幅度提高了。因此，应根据M5151-000000W-200BG传感器的实际应用场合和要求，提出合理的精度要求和相应的温度范围。